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光電開(kāi)關(guān)電子束需要考慮的因素有哪些?
1、磁場(chǎng)強(qiáng)度與產(chǎn)生磁場(chǎng)的電流與傳感器直徑的距離成反比，并且通常這個(gè)距離是不以測(cè)量的。理想情況下，傳感器與被測(cè)對(duì)象之間的距離應(yīng)為0。而在許多實(shí)際情況下，被測(cè)對(duì)象是包裹在絕緣體中。為了減少這種影響，在測(cè)量過(guò)程中應(yīng)該從測(cè)量步驟和數(shù)據(jù)處理上進(jìn)行補(bǔ)償。例如，處理器“掃描”電流流經(jīng)的電流載體，捕獲具體的最大值。測(cè)得的信號(hào)幅值盡管會(huì)受到距離的影響，但是信號(hào)波形并不受測(cè)量距離影響。根據(jù)這一特點(diǎn)，在某一確定位置建立一個(gè)無(wú)故障電流信息圖像板，通過(guò)檢測(cè)待測(cè)電流與已知模板的差值以確定電路的工作狀態(tài)。
2、除了被測(cè)電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)，傳感器同時(shí)也會(huì)測(cè)量到一些干擾信號(hào)，比如鄰近電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)，另外被測(cè)電流很小，地磁也是一種干擾源?？梢酝ㄟ^(guò)在原地被測(cè)電流載體放置二級(jí)傳感器以測(cè)量地磁和其他干擾磁場(chǎng)，或者將不同的傳感器配合使用以消除共同干擾，通常常用的辦法如下：
（1）多點(diǎn)測(cè)試平均法。由于某一電流載體形成的磁場(chǎng)可能與于該近電流載體相近的電流載體所形成的磁場(chǎng)相互重疊，利用多點(diǎn)測(cè)試技術(shù)分離電流載體形成的磁場(chǎng)，在不同位置分別測(cè)量磁場(chǎng)，然后對(duì)在不同位置測(cè)得的磁場(chǎng)進(jìn)行分析和數(shù)學(xué)運(yùn)算來(lái)消除某些干擾。
（2）測(cè)量軌跡平均法。軌跡測(cè)量的方法盡可能地沿著待測(cè)載體軌跡來(lái)移動(dòng)傳感器，當(dāng)傳感器移動(dòng)時(shí)，以一定的速率進(jìn)行采樣以獲得充足的數(shù)據(jù)點(diǎn)，對(duì)這些數(shù)據(jù)進(jìn)行處理，以增加傳感器測(cè)量的決議能力和精確性。 |
當(dāng)前位置：
