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在航空航天中應(yīng)用的磁通門磁強(qiáng)計的研制大都采用機(jī)械手段制備，激勵線圈和接收線圈采用機(jī)械繞線方式，磁芯則采用大塊的金屬磁性合金，且磁導(dǎo)率較低，接口電路與磁通門光電開關(guān)傳感元件分開制造，其結(jié)果是體積大、質(zhì)量大、靈敏度低、長期穩(wěn)定性差。20世紀(jì)九十年代以來，MEMS技術(shù)飛速發(fā)展，為磁通門磁強(qiáng)計的微系統(tǒng)研制提供了有交往可靠的途徑。 磁通門磁強(qiáng)計的微型化和接口電路的集成化是磁通門磁強(qiáng)計實現(xiàn)微型化的必然要求。采用MEMS技術(shù)和CMOS工藝，可將磁通門傳感器元件、界面控制電路集成在同一芯片上，即形成磁通門微磁強(qiáng)計系統(tǒng)。磁通門磁強(qiáng)計的兩種微磁通門結(jié)構(gòu)形式。先通過微機(jī)械加工在硅片上記得出一個U形槽，然后在槽的上面形成金屬線圈的下半部分，在制備一層絕緣膜以后，再制備坡莫合金磁芯。在制備第二層絕緣膜之后，再制備金屬線圈的上半部分。線圈的上、下部分合在一起，就形成一個繞在坡莫合金磁芯外部的完整線圈。用同樣的方法也可制作結(jié)構(gòu)但不需要開U形槽。 |
當(dāng)前位置：
